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Micron Technologies avanza en plantas de DRAM en Estados Unidos

14 agosto, 2025
Inversiones
Micron Technologies moves forward with DRAM plants in the United States
Photo: Micron Technologies.

Micron Technologies avanza en la construcción de plantas de DRAM en Estados Unidos con una inversión aproximada de 50,000 millones de dólares.

Los dispositivos de memoria almacenan información y este segmento incluye la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), un tipo de memoria común y económico que se utiliza para el almacenamiento temporal de información en computadoras.

Con sede en Boise, Idaho, Micron ofrece una amplia gama de productos de memoria y almacenamiento DRAM, NAND y NOR de alto rendimiento a través de sus marcas Micron y Crucia.

¿Su competencia? Desde la década de 1979, la cooperación público-privada surcoreana, encabezada por el Instituto de Investigación de Electrónica y Telecomunicaciones, impulsó a Samsung y SK Hynix a liderar semiconductores, apoyadas por vínculos gubernamentales y conglomerados integrados en segmentos como chips DRAM.

Plantas de DRAM

El gobierno de Estados Unidos aprobó un subsidio de 6,100 millones de dólares para Micron. El apoyo, otorgado bajo la Ley CHIPS y Ciencia, permitirá construir dos plantas en Clay, Nueva York, y una más en Boise, Idaho.

Según la Casa Blanca, la inversión privada inicial será de 50,000 millones de dólares. Este monto marca el primer paso hacia un plan mayor, que prevé hasta 125,000 millones de dólares en ambos estados durante los próximos 20 años.

El objetivo: crear un ecosistema de fabricación de memoria de última generación. Con ello, Micron busca ampliar la capacidad de producción de obleas DRAM y podrá responder a la creciente demanda prevista para la segunda mitad de la década.

Semiconductores

En septiembre de 2022, Micron Technologies dio un primer paso. Anunció la construcción de una planta de memoria de vanguardia en Boise, Idaho. La obra comenzó en octubre de 2023. La empresa prevé lograr una producción significativa de DRAM para 2027.

Un mes después, en octubre de 2022, la compañía reveló otro plan ambicioso. Construirá una segunda planta de DRAM avanzada en Clay, Nueva York. Este complejo incluirá hasta cuatro instalaciones que se desarrollarán en un lapso de 20 años.

La preparación del terreno en Nueva York está prevista para 2025. La producción, según la empresa, crecerá en la segunda mitad de la década.

Micron asegura que estas fábricas permitirán ampliar su capacidad de obleas y responder a la demanda creciente del sector. Además, ayudarán a mantener una participación estable en el mercado de bits en los próximos años.

 

Imagen cortesía de Redacción Opportimes | Opportimes